当论述在有所不同处理器或内存之间提升芯片之间的传输流量时，光子学是一个热门的话题。截至目前为止，微波漏、光调变器、输入耦合光闸与光探测器皆已顺利展开统合了，但要设计理想的微米级光源仍十分具备挑战性。
荷兰爱人因霍芬科技大学（EindhovenUniversityofTechnology）的研究人员在最近一期的《大自然通讯》（NatureCommunications）期刊中公开发表有关“芯片上波导耦合纳米柱金属腔发光二极管”（Waveguide－couplednanopillarmetal－cavitylight－emittingdiodesonsilicon）的近期研究。研究人员展出一种黏合至硅基板的纳米级LED层堆栈，并可耦合至磷化铟（InP）薄膜波导构成光闸耦合器。新式纳米级LED（nano－LED）的扫描式电子显微镜图（SEM）表明在金属化之前的生产组件结构。
纳米柱LED坐落于相连至光闸耦合器的波导顶部这种nano－LED使用次微米级的纳米柱形状，其效率可较前一代组件更高1，000倍，在室温下的输出功率仅有几纳瓦（nW），相形之下，先前的研究结果大约为皮瓦（pW）级输出功率。根据该研究论文表明，这种组件需要展现出非常低的外部量子效率（室温分别为10＾?4～10＾?2，以及9．5K）。而在低温时，研究人员公布的功率级为50nW，相等于在1Gb／s速率下每位传输多达400个光子，这一数字“相比之下低于理想接收器的散粒噪声（shot－noise）无限大灵敏度。
”该组件作业于电信波长（1．55μm），能以频率高达5GHz的脉冲波形产生器展开调变。硅基板上的纳米柱状LED示意图。从顶层到底层的堆栈分别是：n－InGaAs（100?nm）／n－InP（350?nm）／InGaAs（350?nm）／p－InP（600?nm）／p－nGaAsP（200?nm）／InP（250?nm）／SiO2／BCB／SiO2／Si研究人员回应，“由于短距离点对点的损耗较低，以及统合接收器技术持续进展，这一功率级有望以超强精致的光源构建芯片内部的数据传输。”研究人员还研发了一种表面腐蚀方法，需要更进一步为nano－LED提升100倍的效率，同时利用提高奥姆认识（ohmiccontact）更进一步降低功耗。
本文来源：ballbet体育官方网站-www.parisgiftcorner.com
